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产业链 · 卡点深度·产业研究部·机构中性·2026-08-06

HBM 排位战:未来三年份额怎么变、为什么变

HBM 排位战——未来三年份额怎么变、为什么变:海力士守擂、三星三线反扑、美光固守、长鑫入场
机密 · 仅供参考2026 年 08 月
Executive Summary · 核心判断
HBM 的市场份额正在经历超级周期以来的第一次实质重排。2024 年是海力士约 53%、三星约 41%、美光约 6% 的两强格局;2025 年美光凭借率先打入四大 GPU/ASIC 客户升至第二(约 21%),三星因 HBM3E 认证受挫滑至第三;2026 年格局再度反转——三星以 HBM4 先手量产(2 月业界首个出货并通过英伟达/AMD 双认证)、唯一自家 4nm base die 的一站式能力和 Google TPU/AMD 两条主供线强势回归,二季度与海力士的 HBM 收入已接近平价,海力士份额从峰值约六成回落至 bit 口径 48% 左右。往 2027-2028 年看,涌现资本的基准判断是:海力士守住第一但优势收窄到个位数百分点(约 39-42%),三星升至 35-41%,美光稳在 18-20%,长鑫以 HBM3/3E 入场、2028 年拿到全球 HBM 晶圆产能约 12% 但 bit 份额仍为低个位数。份额变化的主因有四条:①客户结构——英伟达盘(海力士占三分之二、有累计可达 $5,000 亿的多年优先供应协议)决定守擂底盘,ASIC 盘(2026 年 +82%、占市场三分之一)决定追赶斜率,三星在 Google TPU 线主供 60% 以上、AMD MI450 主供,吃到的正是增长最快的那一段;②定价与长约结构——海力士用约 10 家客户、约 5 年期的长约锁定 2027-28 出货可见性并换取下行保护,代价是已签约量吃不到 2026 年现货暴涨的即期弹性(这也是其二季度 DRAM 总盘份额被三星反超的直接原因),2027 年长约谈判是份额与利润弹性的下一个裁决点;③技术代际——HBM4 世代三家首次同时过关,竞争从「谁能供」转向「谁的良率与产能爬坡快」,三星 2026 年 HBM 产能提升约五成、1c DRAM 良率爬坡是反超情景成立与否的单一最大变量;④定制化——HBM4E(2027 量产)把定制 base die 变成主流,台积电以 N3P 定制方案进场成为第四个议价方,三星的自家代工一站式与美光/海力士的台积电路线将在 2027 年分出成本与绑定深度的高下。长鑫按 2026 年量产 HBM3、2027 年 12 层 HBM3E 的节奏入场,2028 年前对三大厂利润表影响有限,但它与华为自研封装路线合流后,将在 2029-2031 年成为中国市场的结构性变量;闪迪不生产 HBM,它以 HBF 高带宽闪存(与海力士共推标准)在推理容量层开辟新市场,与 HBM 分层互补,2028 年前不改变 HBM 需求总量。
涌现资本产业研究部 · 2026 年 8 月 6 日 行情为 2026-08-06 尾盘(韩股)/盘中(A 股)与 2026-08-05 美股收盘。份额数据均标注口径(收入/bit)与所属期间;收入口径下海力士因单价溢价高于其 bit 口径约 10 个百分点,两套口径并行呈现、不互相折算。方向评级 🟢 受益/低估 · 🟡 中性/观察 · 🔴 承压/透支。涨幅口径如涉区间高低点,为波谷到波峰口径,非持有回报。本报告为信息聚合与研究判断,非投资建议,绝不构成跟单。

30秒结论卡

  • 一句话判断:HBM 份额正在完成一次三段式重排——2024 年「海力士-三星」两强,2025 年「海力士-美光」新旧交替,2026 年起进入「海力士守擂、三星三线反扑」的正面对决;到 2028 年,第一名与第二名的差距将从 30 多个百分点收敛到个位数。
  • 份额主线:海力士约 53%(2024)→ 约六成峰值(2025)→ bit 口径约 48%(2026E)→ 39-42%(2027-28E 基准);三星约 41% → 约 19% → 约 30% → 35-41%;美光约 6% → 约 21% → 20-25% 目标 → 18-20%;长鑫 2028 年晶圆产能份额约 12%、bit 份额低个位数。
  • 变化的四个主因:① 客户结构(英伟达盘定守擂底盘、ASIC 盘定追赶斜率);② 长约结构(海力士以 5 年期锁量换可见性与下行保护、让渡即期涨价弹性);③ 技术代际(HBM4 三家同过关后,比拼转向良率与产能爬坡速度);④ 定制化(HBM4E 定制 base die 重排价值链,台积电成第四个议价方)。
  • 市场错在哪:把海力士 −43% 的回撤定价成"格局逆转已发生"——收入端两家接近平价是事实,但英伟达盘三分之二 + $5,000 亿优先供应协议的守擂底盘未松动;同时又把三星的反扑只当"故事"——它的 Google/AMD 两条主供线吃的是市场里增长最快的一段,斜率是真的。
  • 重点标的SK-Hynix(000660 · 🟢 守擂+估值经 −43% 回撤消化)· 三星电子(005930 · 🟢 追赶盘赔率更好)· Micron(MU · 🟡 第二集团上沿+周期峰值护栏)· 长鑫科技(688825 · 🔴 HBM 是 2028 年后的期权、当前市值已透支)· SanDisk(SNDK · 🟡 HBF 容量层期权+NAND 周期当下)。
  • 最大反证:2027 年 HBM 长约谈判若出现合约价同比下跌、或英伟达盘份额向三星大幅再分配,"守擂-收敛"基准作废;反之三星 1c 良率若长期停在 60% 一线,"反超情景"整体推迟一年以上。

一、投资要点

框架:份额演变是主线,其余一切(财报、长约、技术、产能)都作为"份额为什么这样变"的原因组织。

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#核心判断方向
12025→2026 的排位反转已经发生:美光 2025 年升至第二(收入约 21%)之后,三星凭 HBM4 先手在 2026 年重回第二,二季度与海力士的 HBM 收入已接近平价($7.6B vs $6.7B)🟢 格局重排进行时
2海力士守擂的底盘是客户结构:英伟达 HBM4 用量约三分之二由其供应,叠加多年期优先供应协议(覆盖 HBM3E+HBM4、累计价值可达 $5,000 亿)与约 10 家客户的 5 年期长约锁量🟢 底盘未松
3守擂的代价是即期弹性:2026 年传统 DRAM 现货与合约价暴涨主要落在长约之外,海力士已签约量吃不到——这直接导致其二季度 DRAM 总盘份额(26%)被三星(39%)反超;其 Q2 营业利润率 76.3% 创纪录,说明长约保护的是利润率、让渡的是弹性🟡 结构性取舍
4三星的反扑是三线的:英伟达二供(25-30%)+ Google TPU 线主供(60% 以上,经博通,2026 年供货量翻倍)+ AMD MI450 主供;ASIC 用 HBM 2026 年 +82%、占市场约三分之一——三星卡位的正是增长最快的需求段🟢 斜率真实
5HBM4 世代的竞争变量换了:三家 2026 年 6 月前全部通过 Vera Rubin 认证,"谁能供"不再是问题;2027 排位由良率与爬坡决定——三星产能一年 +47-50%(年底约 25 万片/月)、1c 良率约 60% 待爬坡;海力士 M15X 扩产 + HBM4 下半年全面放量🟡 变量迁移
6HBM4E(2027)把价值链重排:定制 base die 成主流,台积电以 N3P 定制方案进场;三星是唯一用自家 4nm 做 base die 的一站式厂商,美光/海力士绑定台积电——定制化深度将决定 2027-28 的客户粘性与成本结构🟢 新战场
7供需到 2027 仍偏紧:2026 年 HBM 需求约 +70%、出货超 300 亿 Gb;HBM 占 DRAM 晶圆投片从 2025 年末约 18% 升至 2027 年末约 30%;2027 年合约价存在成倍级上涨预期,三家管理层口径一致指向"紧缺延续",过剩风险后移至 2028🟢 周期未顶

二、份额全景:2024 → 2028 的迁移路径

2.1 份额时间线(涌现资本综合口径)

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期间海力士三星美光长鑫口径
2024 实际52-54%39-42%5-7%收入
2025 实际约 60%(峰值)约 17-19%(滑至第三)约 21%(升至第二)样品阶段收入
2026 当前HBM 收入与三星接近平价;bit 约 48-50%收入近平价;bit 约 28-30%bit 约 20-22%HBM3 量产爬坡收入+bit 并列
2027E 基准40-42%33-38%18-20%约 2%(晶圆口径 5.5 万片/月)bit
2027E 上行(三星)37-39%41-46%(反超)18-20%bit·上行情景
2028E35-40%35-40%(并驾)18-20%晶圆产能份额约 12%、bit 低个位数bit

2.2 三次排位变化,三个原因

第一次(2024→2025):美光上、三星下。 原因一句话:认证。美光率先把 HBM3E 打入四大 GPU/ASIC 客户,三星在 HBM3E 世代始终未能通过英伟达认证、被迫以低约三成的定价在非核心客户处换量——份额从约 41% 滑到第三。

第二次(2025→2026):三星回来了。 原因是 HBM4 世代的先手:2026 年 1 月底通过英伟达/AMD 双认证、2 月业界首个量产出货(11.7Gbps 业界最高规格),叠加产能一年提升约五成(年底约 25 万片/月)。到二季度,其 HBM 收入与海力士只差约一成;三季度公司指引 HBM4 收入环比增三倍以上、下半年 HBM4 占其 HBM 收入六成。

第三次(2026→2028,进行中):从"一超"到"两强"。 决定这次迁移速度的是四个因子,下一章逐个展开。基准情景下海力士守住第一但优势收窄到个位数;上行情景(三星 1c 良率顺利爬坡 + ASIC 盘继续放大)下 2027 年即可能易主。


三、份额变化的四个驱动因子

3.1 客户结构与钱流:英伟达盘定底盘,ASIC 盘定斜率

英伟达仍是 HBM 最大单一需求池,海力士供应其 HBM4 用量的约三分之二,并在 7 月下旬签下多年期优先供应协议(覆盖 HBM3E 与 HBM4、里程碑式锁量、累计价值可达 $5,000 亿)——这是守擂的底盘,短期不可撼动。

但市场增长最快的一段在英伟达之外:定制 ASIC 用 HBM 2026 年增约 82%、占整个市场约三分之一。三星在这一段的卡位最深——Google TPU 线(经博通)主供 60% 以上、2026 年供货量翻倍以上,AMD MI450 系列官宣其为主力供应商。份额演变的算术很直接:底盘大者守擂,斜率陡者追赶;英伟达盘与 ASIC 盘的相对增速,就是海力士与三星份额差收敛的速度。 美光四大客户全部打入但缺一条"主供"线,这是它稳在第二集团上沿、难再上台阶的原因。

3.2 长约结构:可见性与弹性的交换

海力士的长约体系——约 10 家客户、约 5 年期、逐客户定价、含预付款与保证金机制——买到的是 2027-28 年出货可见性与周期下行保护,付出的是已签约量对现货暴涨的即期重定价权。2026 年这笔交换的两面同时兑现:二季度营业利润率 76.3% 创历史纪录(长约保护了盈利质量),但传统 DRAM 合约价环比 +13-18% 的涨幅主要落在长约之外,其 DRAM 总盘份额被三星以 39% 对 26% 反超(弹性让渡的代价)。附一条数字纪律:当季净利 ₩93.9 万亿高于营业利润,含大额非经营项,衡量经营成色应看营业利润。

2027 年长约谈判(正在进行)是这个因子的裁决点:谈成高价,守擂与利润弹性兼得;谈判中让利换量,则份额收敛加速。卖方对海力士 2027 年营业利润的预测因此相差 2.5 倍(₩185 万亿至 ₩468 万亿)——这个分歧本身就是买点与风险的来源。

3.3 技术代际:HBM4 之后,卡点换成良率与爬坡

HBM4 世代三家首次同时过关(6 月初英伟达确认三家全部通过 Vera Rubin 认证),HBM4 对 HBM3E 的按栈溢价约 50-70%,2026 年下半年 HBM4 超越 HBM3E 成为主流。竞争变量随之迁移:从"谁能供"变成"谁爬得快"——三星 1c DRAM 良率(当前约 60%)能否上到量产经济性区间,是 2027 年反超情景成立与否的单一最大变量;海力士 HBM4 良率已接近其成熟期 HBM3E 水平、下半年全面放量;美光目标 2026 年内完成高良率爬坡。

远期路线图上,三星在 FMS 2026 展示了 zHBM——将 HBM 经晶圆级键合直接堆叠在 AI 加速器正上方的全 3D 架构,指标指向 HBM5 的 8 倍性能、10 倍密度、3 倍能效。它属于 2028 年以后的世代(HBM5 之后),对 2026-2027 年排位没有影响;但它与混合键合(约 2029 年导入)、内嵌冷却等共同说明:HBM 的技术纵深足够长,追赶者每一代都有重新洗牌的入口。

3.4 定制化:HBM4E 重排价值链

2027 年量产的 HBM4E 把定制 base die 变成主流:客户定制逻辑功能、台积电以 N3P 定制方案(集成内存控制器与定制 PHY)进场——内存三家之外出现了第四个议价方。三条路线已经分明:三星用自家 4nm 做 base die(业内唯一的内存+逻辑+封装一站式)、海力士 HBM4 用台积电 12nm 并评估 3nm、美光 HBM4E base die 交台积电。定制化的份额含义:定制订单一旦绑定,切换成本远高于标准品——2026-2027 年谁拿走更多定制 HBM4E 设计订单,谁就锁定了 2028 年的份额下限。这也是 ASIC 盘(3.1)与技术路线(3.3)两个因子在 2027 年的交汇点。


四、追赶者与新层:长鑫与闪迪

4.1 长鑫:2026 入场,2028 成为变量,2029 后才谈利润

长鑫的 HBM 节奏:HBM3 样品(16nm,已交付华为等验证)→ 2026 年量产 HBM3(约 20% 产能、约 6 万片/月)→ 2027 年量产 12 层 HBM3E;上海 HBM 后段封测厂 2026 年底投产。产能路径为 3 万 → 5.5 万 → 10 万片/月(2026/27/28),对应全球 HBM 晶圆产能份额 2028 年约 12%——但按当前综合良率水平,折算成 bit 份额仍为低个位数,利润贡献在 2028 年前接近于零。

份额影响的正确读法分两个市场:全球市场上,2028 年前长鑫不改变三大厂的排位算术中国市场上,它是结构性变量——华为昇腾当前的 HBM 库存(以三星 HBM2E 为主、约 1,300 万颗)将在 2027 年前后耗尽,华为自研 HBM 路线(HiBL 1.0/HiZQ 2.0)与长鑫的产能爬坡恰好在同一窗口交汇,2027-2028 年中国 AI 芯片的 HBM 供给将完成从"库存消耗"到"本土供应"的切换。约束同样清晰:技术代差 2-3 代(三大厂已进 HBM4)、TSV 设备部分受管制、良率爬坡是从样品到经济性量产之间最长的一段路。当前 3.45 万亿市值对应的 HBM 价值是 2028-2031 年的期权,不是 2026-2027 年的利润(估值框架参 cxmt-listing-day-two-prices-no-arbitrage-2026-07-26)。

4.2 闪迪:不做 HBM,在 HBM 旁边开辟容量层

闪迪是纯 NAND 厂,不生产 HBM。它参与这个话题的方式是 HBF(高带宽闪存):把 NAND 堆进 HBM 式封装,以 HBM 级带宽提供 8-16 倍容量。本周 FMS 2026 上,闪迪与海力士共同推动的首份 HBF 技术规范(OCP)发布:8/16 层堆叠、单堆最高 512GB、三档带宽至 3.07TB/s,Google 与 Tenstorrent 入组;样品下半年、首批推理设备 2027 年初、海力士端量产目标 2027 年。

HBF 与 HBM 是分层互补:HBF 做推理容量层(模型权重驻留、冷 KV cache),HBM 做带宽层(热数据)——海力士以 HBM 领导者身份共同发起 HBF 标准,本身就说明两者是组合关系。市场体量上 HBF 2030 年预估约 $120 亿、放量在 2030 年之后,2028 年前不改变 HBM 的需求总量与三家排位。对闪迪自身,HBF 是叠加在 NAND 超级周期之上的长期期权;当下的股价矛盾在 NAND 周期本身——季度营收 +372% 超预期,但下季指引显示涨价斜率放缓,这正是 8-06 存储链集体回调的导火索。


五、受益链与公司卡

需求源(英伟达 Rubin/ASIC 定制) → HBM 三家(海力士守擂·三星反扑·美光固守) → base die 代工(台积电=第四议价方) → 追赶者(长鑫·中国市场变量) → 新层(闪迪 HBF·容量层)

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公司现价(08-06)份额走向(→2028)变化主因反证 / 风险评级
SK 海力士 000660₩1,505,000 · 距峰值 −43%约 60% 峰值 → 35-40%(第一但收敛)英伟达盘 2/3 + $5,000 亿优先协议守底盘;长约让渡即期弹性2027 谈判量价;三星三线斜率🟢
三星电子 005930₩230,500 · 距峰值 −32%约 19% 谷底 → 35-40%(并驾/上行反超)HBM4 先手 + Google/AMD 主供 + 产能 +50% + 一站式定制能力1c 良率爬坡;Q3 环比三倍指引兑现🟢
美光 MU$893约 21% → 18-20%(第二集团上沿)四大客户全打入但缺主供线周期峰值估值护栏🟡
长鑫科技 688825¥51.61 · 市值 3.45 万亿2028 晶圆份额约 12%、bit 低个位数HBM3/3E 入场 + 华为需求窗口交汇;良率与设备是约束良率爬坡不及位;市值已透支期权🔴
闪迪 SNDK$1,350不参与 HBM 份额;HBF 容量层开创者HBF 标准落地 + NAND 周期NAND 涨价斜率放缓;HBF 放量在 2030 后🟡

六、情景与行动

6.1 情景表(2027 年排位)

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情景排位核心假设标的动作
🎯 基准:守擂-收敛海力士 40-42% > 三星 33-38% > 美光 18-20%三星良率爬坡温和、英伟达优先协议兑现锁量、2027 谈判价稳海力士为主配、三星为弹性仓
🐂 上行:三星反超三星 41-46% > 海力士 37-39%1c 良率过 70% + Google/AMD 线放量 + 英伟达盘再分配三星加仓、海力士持有不减(利润率仍受长约保护)
🔴 尾部:2028 过剩排位次要、全行业利润率压缩三家扩产同时落地 + ASIC 需求不及预期 + 定制化对冲失效全链降仓、只留长约覆盖度最高者

6.2 行动清单


七、风险与反证

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#风险反证信号(出现即证明本报告结论错)方向
1守擂判断反证2027 长约谈判合约价同比下跌,或英伟达盘份额向三星大幅再分配🔴
2反超情景反证三星 1c 良率长期停留在 60% 一线、Q3 HBM4 收入未兑现环比三倍指引🟡
3周期见顶DRAM/NAND 合约价环比转跌(非涨幅收窄)、hyperscaler 削减 HBM 拉货🔴
4长约弹性恶化2027 续约价显著低于市场价、长约内外价差持续扩大侵蚀 HBM 相对利润率🟡
5长鑫超预期HBM3 量产良率公告级证据 + 华为自研 HBM 确认由长鑫供应——中国市场切换提前🟡(对三大厂)
6HBF 越界HBF 实测带宽进入 HBM 低档区间并获 GPU 厂商设计导入——容量层边界被突破🟡(2028 后)

八、来源置信度表 · 数字三道关自评 · 免责

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结论 / 数字来源日期口径置信度
海力士 Q2'26(营收 ₩79.32 万亿/营业利润 ₩60.54 万亿/OPM 76%)、长约约 10 家、HBM4 量产公司官方发布 + 电话会2026-07-29财报A
三星 Q2'26(营收 ₩171.5 万亿/营业利润 ₩89.5 万亿)、HBM4E 首样、Q3 指引公司官方 + 电话会2026-07-30财报 A/电话会 CA/C
份额时间线(2024/2025/2026 各期间)TrendForce / Counterpoint / Bernstein各期间标注收入与 bit 分列B/C
2027-2028 份额预测(基准与上行情景)UBS / Bernstein / TrendForce / 涌现资本综合2026-07~08bit·情景化处理B/C/D
英伟达优先供应协议(累计可达 $5,000 亿)、三家 HBM4 认证官宣 + 公开确认2026-06~07事件A/B
HBM4 按栈溢价 50-70%、长约内外价差机制TrendForce / Counterpoint / 韩媒2026产业机构B
zHBM(FMS 2026·HBM5 之后世代)FMS 展示 + 产业媒体2026-08-04~06概念披露B
三星 1c 良率约 60%、产能约 25 万片/月产业媒体/纪要2026非官方C
长鑫 HBM 节奏(2026 HBM3/2027 HBM3E)、产能 3→5.5→10 万片/月、2028 晶圆份额约 12%产业调研 + SemiAnalysis2025-08~2026-06产业口径(非公司公告)C
华为 HBM 库存约 1,300 万颗、HiBL/HiZQ 路线图产业调研 / 华为官方路线图2024-12~2025-09混合C/A
HBF:OCP 规范、时间表、2030 年约 $120 亿规范发布 / 券商预估2026-08-03 / 2026规范 A/预估 CA/C
HBM 占 DRAM 投片 18/22/30%(2025/26/27 年末)、2026 需求 +70%、2027 价格成倍级预期TrendForce2026产业机构B
行情(+331%/−43%、财报周序列、8-06 触发链)EODHD 交易所日线 + 腾讯行情2026-08-06收盘/尾盘标注A
⚠️ 数据分歧显式披露:① 2027 年排位预测存在机构分歧(反超与守擂并存),本报告以"守擂-收敛"为基准、反超为上行情景;② 收入份额与 bit 份额两套口径并行,海力士收入口径系统性高于 bit 口径约 10 个百分点,表内已逐行标注;③ 海力士 Q2 净利 ₩93.9 万亿含大额非经营项,经营成色以营业利润为准;④ 长鑫 HBM 节奏为产业口径,公司公告层面无时间表,表内已标注;⑤ 卖方对海力士 2027 年营业利润预测区间相差 2.5 倍,为本报告"2027 谈判是裁决点"判断的直接依据。 数字三道关自评:①量级一致性——海力士单季营业利润(₩60.54 万亿)超其 2025 全年(₩47.2 万亿),与 +557% YoY 自洽;份额各期间行内加总约 100%;长鑫产能 10 万片/月对应全球 HBM 晶圆份额约 12% 与三家扩产基数交叉自洽。②单位显式——收入份额与 bit 份额、颗(stack)与片(wafer)、按 GB 与按栈溢价逐处分列。③关键数字 ≥2 源——财报数取公司官方;份额取多机构区间;单源数字(良率、库存颗数、单家投行预测)标 C 级并以情景而非基准处理。

免责:本报告为涌现资本产业研究部信息聚合与独立研究判断,不构成任何证券的买卖要约或投资建议,读者应独立决策并自负风险。市场有风险,投资需谨慎。© Emergence Capital


*涌现资本产业研究部 · 2026-08-06*

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本文为产业研究,基于公开信息独立完成,不构成投资建议。市场有风险,投资需谨慎。© Emergence Capital
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